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    六英寸硅基GaN HEMT外延材料产品

    发布日期: 2020-11-11 16:35:00 文章出处:科研成果发布 浏览次数:


北京大学东莞光电研究院利用MOCVD所研发的GaN HEMT外延材料产品达到产业化的性能指标。均匀性小于2.5%,耐压为780V@1μA/mm2,二维电子气迁移率大于2200 cm2/v.s,方阻小于400ohm/sq,载流子浓度大于4.5*1E12/cm2,符合650V器件应用领域的材料要求。GaN HEMT外延材料产品制备成器件后,相比传统硅器件,GaN HEMT具备高迁移率、低导通、高电压、小型化轻量化、更高电能转换效率、更高的功率密度等方面优势,符合绿色节能的科技发展。可以用于汽车电子、5G通信、电力运输、轨道交通、数据中心、太逆变器、办公数码等涉及电能转换相关领域。

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