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    研究院主要以第三代半导体材料与器件技术的研发为核心

    发布日期: 2020-11-19 11:03:58 文章出处:科研成果发布 浏览次数:

     

  研究院主要以第三代半导体材料与器件技术的研发为核心,建设成为科技创新、科技成果转化、高科技产业孵化和人才培养的基地。研究院共有专利近 80 项,其中发明专利 70 项,另外申请 PCT 专利 2 项。主要涉及领域包括 : LED、LD、材料生长、检测方法、仪器系统、光伏技术等。


  LED集成封装项目: 集成光效设计、散热仿真和先进的封装技术与材料,提升 LED 照明光的质量,实现LED 光源模组标准化,缩短 LED 照明产业链,降低生产成本。


  LED垂直结构芯片项目: 解决大功率高亮度 LED 垂直结构芯片产业化的关键问题,计划建成一条批量生产新型垂直结构 LED 的生产线。


  GaN体单晶生长项目: 利用 Na flux 制备 GaN 衬底,可以有效低位错密度,应用于高端 GaN 基光电器件外延制备,平衡成本和材料质量, 实现可控的大尺寸及批量生产。


  三维微纳米结构LED项目: 优化 GaN 纳米柱材料和器件的生长和均匀性控制,着力解决基于 GaN 纳米柱器件工艺当中的关键问题,实现 GaN nanoLED 的实用器件。


  生物光环境研究项目: 通过本项目的开展 , 可以为构建各种生物光环境乃至动态光环境的模拟与控制提供解决方案,同时对于生物化学 , 基因变异 , 组织培养等科研领域起到支撑与促进作用 , 对生物制药 , 农业工厂化的生产以及航空、航海、密闭工作环境的工作提供有效的技术支持。


  激光显示项目:针对当前可见光半导体激光器 (LD) 及模块核心技术及产业化技术难题,项目将对半导体衬底生长、外延、芯片、封装、检测及激光模块的核心关键技术,进行工艺流程及产业化研究。


  AlN陶瓷基板研究项目: 主要围绕第三代半导体大功率高性能封装工艺技术与关键材料展开研究。开展高导热陶瓷金属化、陶瓷基板与高温大功率器件连接技术研究,高工作温度器件模块的封装技术研究。


  电子功率器件外延技术开发项目: 开展可供电力电子器件技术开发应用的大尺寸(6 英寸或以上) 硅衬底氮化镓外延片的产业化技术 , 最终形成从 Si 上 GaN 外延、 物性表征、关键器件工艺一直到器件和电路集成的研发和中试平台,并实现一定规模的产业化。


  光电精密仪器项目:开发 MEMS 全方位姿态传感器、微型光栅光谱仪、微型二维气相色谱仪、微流荧光免疫测定模块等应用型光电类精密仪器设备光伏应用技术的开发: 通过对本课题组的开展,为客户提供完整的光伏、光热离网、并网解决方案和集成化系统服务;提供完整的光伏农业、光伏水利解决方案;还能提供空气能 / 水源热泵的节能系统方案、太阳能污水处理、太阳能光热储能熔盐系统。

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