申请号:CN201910019649.0
本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法,其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔,将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料,生长过程中,金属助溶...
价格:面议 发布时间: 2020-11-18 09:53:37
申请人:北京大学东莞光电研究院
本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法,其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔,将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料,生长过程中,金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触,一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层,促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离,得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底,另一方面,金属助溶剂与氮形成中间体,该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长,应用于钠流法技术制备时,改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题,提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。