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一种自分离制备GaN单晶衬底的方法

申请号:CN201910019649.0

本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法,其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔,将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料,生长过程中,金属助溶...


价格:面议 发布时间: 2020-11-18 09:53:37

申请人:北京大学东莞光电研究院